单片式硅外延生长炉模型
单片式硅外延生长炉模型
单片式硅外延生长炉是一种辐射加热式的、气体注射式的单晶片处理系统，系统利用化学气相沉积(CVD)的原理在硅晶片表面生长一层厚度均匀的不掺杂型或掺杂型外延层，适用于直径分别为6英寸和8英寸的硅晶片。系统生长的外延层厚度可控，其晶体结构与衬底硅晶片相同，属于同质外延。
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单片式硅外延生长炉模型
单片式硅外延生长炉是一种辐射加热式的、气体注射式的单晶片处理系统，系统利用化学气相沉积(CVD)的原理在硅晶片表面生长一层厚度均匀的不掺杂型或掺杂型外延层，适用于直径分别为6英寸和8英寸的硅晶片。系统生长的外延层厚度可控，其晶体结构与衬底硅晶片相同，属于同质外延。
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